کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1530628 | 1511996 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Compensation of decreased ion energy by increased hydrogen dilution in plasma deposition of thin film silicon solar cells at low substrate temperatures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In order to deposit thin film silicon solar cells on plastics and papers, the deposition process needs to be adapted for low deposition temperatures. In a very high frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition (VHF PECVD) process, both the gas phase and the surface processes are affected by low process temperature. Using an electrostatic ion energy analyzer the effect of deposition temperature on the energies of ions reaching the substrate was measured. The ion energy decreases with decreasing temperature, but this can be compensated by diluting the silane source gas by hydrogen.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volumes 159â160, 15 March 2009, Pages 53-56
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volumes 159â160, 15 March 2009, Pages 53-56
نویسندگان
A.D. Verkerk, M.M. de Jong, J.K. Rath, M. Brinza, R.E.I. Schropp, W.J. Goedheer, V.V. Krzhizhanovskaya, Y.E. Gorbachev, K.E. Orlov, E.M. Khilkevitch, A.S. Smirnov,