کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1530645 | 1511996 | 2009 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The influence of thermal treatments under hydrostatic pressure prior to irradiation on the annealing characteristics of the VO defect in Si
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Cz-Si samples, initially subjected to thermal treatments under high hydrostatic pressure, were subsequently irradiated by fast neutrons. This paper describes a series of infrared spectroscopy measurements that enabled us to determine the effect of the pre-treatments on the annealing characteristics of the VO defect in Si. We found that the activation energies of the two main annealing reactions: VO + Oi â VO2 and VO + SiI â Oi that the defect participates, are comparatively smaller than those of initially untreated samples, correspondingly. We argue that the pre-treatments reduce the potential barrier for the migration of the VO defect (VO + Oi â VO2) and also reduces the binding energy of the SiI's, bound at large defect clusters (VO + SiI â Oi).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volumes 159â160, 15 March 2009, Pages 122-127
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volumes 159â160, 15 March 2009, Pages 122-127
نویسندگان
C.A. Londos, G.D. Antonaras, M.S. Potsidi, A. Misiuk,