کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1530695 | 1511996 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Hydrogenation of platinum introduced in silicon by radiation enhanced diffusion
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Hydrogenation of deep-lying platinum layers in silicon is reported. Two methods of hydrogenation were compared – rf hydrogen plasma exposure at 250 °C and proton implantation – both followed by annealing up to 400 °C. Several platinum–hydrogen complexes were identified by deep-level transient spectroscopy and their annealing characteristics were established. Result show that proton implantation allows local hydrogenation of platinum atoms at the range of implanted protons. On the other hand, platinum atoms substantially accelerate annealing of radiation defects introduced by implanted protons.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volumes 159–160, 15 March 2009, Pages 342–345
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volumes 159–160, 15 March 2009, Pages 342–345
نویسندگان
P. Hazdra, V. Komarnitskyy, V. Buršíková,