کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1531337 | 1512005 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigations of porous InP properties by XRD, IR, USXES, XANES and PL techniques
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The work is concerned with complex investigations of the layers of porous indium phosphide (por-InP) using X-ray diffraction and IR-spectroscopy, ultrasoft X-ray emission spectroscopy (USXES), spectroscopy of X-ray near-edge absorption fine structure XANES (X-ray absorption near-edge structure) and photoluminescence, obtained by anodic pulse electrochemical etching of single-crystalline plates of InP(1 0 0) of n-type conductivity (n ∼ 1018). The data obtained as a result of this work demonstrated that the surface layers of por-InP have cluster structure with the formation of InP quasi-molecules.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 147, Issues 2–3, 15 February 2008, Pages 144–147
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 147, Issues 2–3, 15 February 2008, Pages 144–147
نویسندگان
E.P. Domashevskaya, V.M. Kashkarov, P.V. Seredin, V.A. Terekhov, S.Yu. Turishchev, I.N. Arsentyev, V.P. Ulin,