کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1531337 1512005 2008 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigations of porous InP properties by XRD, IR, USXES, XANES and PL techniques
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Investigations of porous InP properties by XRD, IR, USXES, XANES and PL techniques
چکیده انگلیسی

The work is concerned with complex investigations of the layers of porous indium phosphide (por-InP) using X-ray diffraction and IR-spectroscopy, ultrasoft X-ray emission spectroscopy (USXES), spectroscopy of X-ray near-edge absorption fine structure XANES (X-ray absorption near-edge structure) and photoluminescence, obtained by anodic pulse electrochemical etching of single-crystalline plates of InP(1 0 0) of n-type conductivity (n ∼ 1018). The data obtained as a result of this work demonstrated that the surface layers of por-InP have cluster structure with the formation of InP quasi-molecules.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 147, Issues 2–3, 15 February 2008, Pages 144–147
نویسندگان
, , , , , , ,