کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1531748 | 995846 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Microstructures and thermoelectric properties of p-type pseudo-binary Bi–Sb–Te alloys with partial substitution of Ga for Sb prepared by spark plasma sintering
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
P-type pseudo-binary Bi–Sb–Te alloys with Ga substitution for Sb in raw mixtures were prepared by spark plasma sintering (SPS) technique, results show that a proper Ga substitution for Sb can improve the thermoelectric performance near room temperature. With molar fraction x increasing from 0 to 0.1 in the GaxBi0.5Sb1.5−xTe3 alloys, a ratio σ/κ can be enhanced from 23,178 to 34,807 K V−2 at 318 K, without noticeable loss of Seebeck coefficients. The maximum ZT value of 0.65 (±0.16) is achieved, being approximate 0.11 higher than that of Bi0.5Sb1.5Te3.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 135, Issue 1, 15 November 2006, Pages 44–49
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 135, Issue 1, 15 November 2006, Pages 44–49
نویسندگان
J.L. Cui, H.F. Xue, W.J. Xiu,