کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1531995 | 1512021 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of space charge in gallium nitride by the thermal step method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Study of space charge in gallium nitride by the thermal step method Study of space charge in gallium nitride by the thermal step method](/preview/png/1531995.png)
چکیده انگلیسی
This may be due to the presence of trapped charge in this structure. The space charge dynamics is studied by thermal step method at different applied voltages. The TS currents are reverted from negative ones to positive ones above inversion threshold of +0.2Â V. This change corresponds to charge modulation from accumulation to the inversion one, in good agreement with the C-V characteristics. The stored charge in this sample is related to the nature of gallium nitride and to the manufacturing processes. The results confirm the possibility to apply the TSM for the measurement of the space charge in the semiconductor materials.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 130, Issues 1â3, 15 June 2006, Pages 89-93
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 130, Issues 1â3, 15 June 2006, Pages 89-93
نویسندگان
A. Matoussi, S. Bergaoui, T. Boufaden, S. Guermazi, Y. Mlik, B. El jani, A. Toureille,