کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1532024 | 1512021 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigations of the EPR parameters and substitutional sites of Ni3+ ions in CuGaS2 and AgGaS2 ternary semiconductors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Investigations of the EPR parameters and substitutional sites of Ni3+ ions in CuGaS2 and AgGaS2 ternary semiconductors Investigations of the EPR parameters and substitutional sites of Ni3+ ions in CuGaS2 and AgGaS2 ternary semiconductors](/preview/png/1532024.png)
چکیده انگلیسی
The electronic paramagnetic resonance (EPR) parameters (g factors g//, g⊥ and zero-field splitting D) of Ni3+ ions at both M+ (M = Cu, Ag) and Ga3+ sites in MGaS2 ternary semiconductors are calculated from the high-order perturbation formulas based on the two spin-orbit (SO) coupling parameter model for 3d7 ions in tetragonal symmetry. The calculated results suggest that Ni3+ ions replace the monovalent M+ ions in MGaS2 crystals. This point is contrary to the previous assumption that Ni3+ ions substitute for the isovalent Ga3+ ions to attain the charge neutrality. The reasonableness of the suggestion is discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 130, Issues 1–3, 15 June 2006, Pages 273–276
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 130, Issues 1–3, 15 June 2006, Pages 273–276
نویسندگان
Zheng Wen-Chen, Wu Xiao-Xuan, Zhou Qing, He Lv,