کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1532080 | 995854 | 2006 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Correlation between static characteristics and deep levels in InAlAs/InGaAs/InP HEMT'S
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
It is well known that trapping effects can limit the output power performance of microwave field-effect transistors (FETs). This is particularly true for the wide band gap devices. In this paper, we present a detailed study of drain Current Deep Level Transient Spectroscopy CDLTS measurements performed on InAlAs/InGaAs/InP HEMT of two different samples. We demonstrate that a remarkable correlation exists between deep levels observed by CDLTS and the presence of parasitic effects such as kink and hysteresis effects.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 127, Issue 1, 15 February 2006, Pages 34–40
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 127, Issue 1, 15 February 2006, Pages 34–40
نویسندگان
M.M. Ben Salem, S. Bouzgarrou, N. Sghaier, A. Kalboussi, A. Souifi,