کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1532124 | 1512022 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improvement of the reverse leakage behavior of Ag-based ohmic contacts for GaN-based light-emitting diodes using MgZnO interlayer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
MgZnO(MZO) interlayers are introduced to form high-quality Ag-based ohmic contacts to p-type GaN (Na = 4 × 1017 cm−3) for GaN-based flip-chip light-emitting diodes (LEDs). The MZO (2.5 nm)/Ag (250 nm) contacts become ohmic with specific contact resistance of 3.83 × 10−4 Ω cm2 and reflectance of ∼83% at a wavelength of 405 nm when annealed at 530 °C for 1 min in air. It is shown that LEDs made with the MZO interlayers yield reverse leakage currents three orders of magnitude lower than that of LEDs without the interlayers. In addition, the LEDs fabricated with the MZO interlayers show higher output power as compared with the LEDs without the interlayers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 129, Issues 1–3, 15 April 2006, Pages 176–179
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 129, Issues 1–3, 15 April 2006, Pages 176–179
نویسندگان
Hyun-Gi Hong, June-O Song, Takhee Lee, I.T. Ferguson, Joon Seop Kwak, Tae-Yeon Seong,