کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1532767 | 1512196 | 2006 | 28 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Gallium nitride bulk crystal growth processes: A review
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Gallium nitride bulk crystal growth processes: A review Gallium nitride bulk crystal growth processes: A review](/preview/png/1532767.png)
چکیده انگلیسی
Optoelectrical and microelectronic devices involving gallium nitride have become a challenge but their development is limited because of a lack of suitable substrates. This paper deals with the crystal growth of gallium nitride, the processes leading to GaN bulk crystals being significantly expanded during the last decade (the ones involving GaN thin films or nanocrystallites are not studied in this review). The main reviewed routes are: (i) the high pressure nitrogen solution growth (H.P.N.S.G.), (ii) the Na flux method, and (iii) the ammonothermal crystal growth.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: R: Reports - Volume 50, Issue 6, 1 January 2006, Pages 167–194
Journal: Materials Science and Engineering: R: Reports - Volume 50, Issue 6, 1 January 2006, Pages 167–194
نویسندگان
Annaïg Denis, Graziella Goglio, Gérard Demazeau,