کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1533630 | 1512568 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Resonant tunneling diode photodetector with nonconstant responsivity
ترجمه فارسی عنوان
فوتونیک دیود تونل رزونانس با حساسیت غیرمستقیم
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
دیود تونل رزونانس، تشخیص نور، پاسخگویی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
Resonant tunneling diode with an In0.53Ga0.47As absorption layer is designed for light detection at 1550 nm. The responsivity of the detector is simulated by solving the Tsu-Esaki equation. The simulation results show that the responsivity of the detector is nonconstant. It decreases with the increment of the power density of the incident light. Samples of the detector are fabricated by molecular beam epitaxy. The experimental results show that the responsivity increases while the power density of the incident light decreases which agree with the simulation results. The responsivity reaches 4.8Ã108 A/(W/μm2) at room temperature and 5.0Ã109 A/(W/μm2) at 77 K when the power density of the incident light is 1Ã10â13 W/μm2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics Communications - Volume 355, 15 November 2015, Pages 274-278
Journal: Optics Communications - Volume 355, 15 November 2015, Pages 274-278
نویسندگان
Yu Dong, Guanglong Wang, Haiqiao Ni, Jianhui Chen, Fengqi Gao, Baochen Li, Kangming Pei, Zhichuan Niu,