کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1534223 | 1512591 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Diode-pumped passively Q-switched Nd:GGG laser with a Bi-doped GaAs semiconductor saturable absorber
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Passive Q-switching of a diode-pumped Nd:GGG laser is demonstrated using Bi-doped GaAs as saturable absorber. The Bi-doped GaAs wafer is fabricated by ion implantation and subsequent annealing. Compared with the Q-switched laser by undoped GaAs semiconductor saturable absorber, the laser with Bi-doped GaAs as saturable absorber can produce higher output power, shorter pulses, higher single pulse energies and higher peak powers. These results suggest that Bi-doped GaAs can be a promising new candidate of semiconductor saturable absorber in Q-switched laser.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics Communications - Volume 332, 1 December 2014, Pages 292-295
Journal: Optics Communications - Volume 332, 1 December 2014, Pages 292-295
نویسندگان
Wen Cong, Dechun Li, Shengzhi Zhao, Kejian Yang, Xiangyang Li, Hui Qiao, Ji Liu,