کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1534581 | 1512595 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
InGaAs/InP avalanche photodiode for infrared single photon detection using a time-to-voltage converter
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We demonstrated an efficient and robust technique for weak avalanche discrimination by using a time-to-voltage converter circuit for the infrared single photon detection based on InGaAs/InP single photon avalanche photodiodes (SPADs), which enabled a strong suppression of the afterpulse noise. At a gating frequency of 10 MHz, a detection efficiency of 20.1% was obtained with a dark count probability of 1.2×10−5 and an afterpulse probability of 1.22% without dead time, paving the way for the low-noise fast detection of infrared single photons.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics Communications - Volume 328, 1 October 2014, Pages 37–40
Journal: Optics Communications - Volume 328, 1 October 2014, Pages 37–40
نویسندگان
Abdessattar Bouzid, Ahmed M. Nahhas, Kamel Guedri,