کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1534618 | 1512602 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analysis of tunable transmission properties in photonic crystals containing doped semiconductor
ترجمه فارسی عنوان
تجزیه و تحلیل خواص انتقال قابل تنظیم در بلورهای فوتونی که حاوی نیمه هادی است
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
کریستال فوتونی، انتقال قابل تنظیم، روش انتقال ماتریس
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
We investigate the tunable transmission properties in a photonic crystal (PC) that contains doped semiconductor, n-GaAs, as a defect layer. With the existence of n-GaAs, the defect modes can be tuned by external magnetic field, doping concentration, and thickness of the defect layer. Among these three factors, the thickness of the defect layer is the most effective one. The analysis made is the near infrared region and the results are of technical use in the design of a filter with narrowband transmittance peaks.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics Communications - Volume 321, 15 June 2014, Pages 167–171
Journal: Optics Communications - Volume 321, 15 June 2014, Pages 167–171
نویسندگان
Yang-Hua Chang, Ming-De Ou, Chien-Jang Wu,