کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1535066 | 1512615 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Carrier scenarios in optically injected quantum-dot semiconductor lasers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A model for optical injection locking in quantum dot (QD) lasers is stated where the electron and hole dynamics are treated separately and their scenarios in the ground state (GS), excited state (ES) in the QDs and in the wetting layer (WL) are examined. A decline in the GS electron occupation probability, and then, a left returned spiral behavior is shown in their phase space projections at high injection ratio. The GS occupation probabilities for electrons and holes are reduced drastically with increasing injection ratio. The injection map is also plotted.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics Communications - Volume 308, 1 November 2013, Pages 243-247
Journal: Optics Communications - Volume 308, 1 November 2013, Pages 243-247
نویسندگان
Basim Abdullattif Ghalib, Sabri J. Al-Obaidi, Amin H. Al-Khursan,