کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1535906 | 1512637 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Selecting of modes in nano-laser of silicon quantum dots
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Selecting of modes in nano-laser of silicon quantum dots Selecting of modes in nano-laser of silicon quantum dots](/preview/png/1535906.png)
چکیده انگلیسی
In a nano-laser of Si quantum dots (QD), the smaller QD fabricated by nanosecond pulse laser can form the pumping level tuned by the quantum confinement (QC) effect. Coupling between the active centers formed by localized states of surface bonds and the two-dimensional (2D) photonic crystal used to select model can produce a sharp peak at 2.076 eV in the nano-laser. It is interesting to make a comparison between the localized electronic states in gap due to defect formed by surface bonds and the localized photonic states in gap of photonic band due to defect of 2D photonic crystal.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics Communications - Volume 285, Issues 13–14, 15 June 2012, Pages 3217–3221
Journal: Optics Communications - Volume 285, Issues 13–14, 15 June 2012, Pages 3217–3221
نویسندگان
Wei-Qi Huang, Shi-Rong Liu, Chao-Jian Qin, Quan Lü,