کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1536274 | 1512635 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Resonant photoluminescence of Si layers grown on SiO2
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The Si layers grown on SiO2 at temperatures between 430 and 550 °C and annealed at high temperatures emit a photoluminescence (PL) peak in the 1.4–1.7 μm range. The use of 1 nm Ge coverage on SiO2, prior to the Si deposition, leads to an increase in the PL intensity. The Ge coverage also provides an increase in the average size of microcrystals in Si layers. Thick Si layers (∼5 μm) exhibit resonant PL peaks in a broad spectral region from 1.2 to 1.7 μm. The results show that the Si layers prepared on SiO2 under certain conditions are promising for the fabrication of light emitters on the basis of resonant cavity structures.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics Communications - Volume 286, 1 January 2013, Pages 228–232
Journal: Optics Communications - Volume 286, 1 January 2013, Pages 228–232
نویسندگان
A.A. Shklyaev, D.V. Gulyaev, K.S. Zhuravlev, A.V. Latyshev, V.A. Armbrister, A.V. Dvurechenskii,