کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1538390 | 996611 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analysis of silicon light emission under breakdown condition using an indirect intraband model
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Analysis of silicon light emission under breakdown condition using an indirect intraband model Analysis of silicon light emission under breakdown condition using an indirect intraband model](/preview/png/1538390.png)
چکیده انگلیسی
The light emission from silicon (npn) emitter-base junctions under breakdown condition has been modelled. The model suggests an indirect intraband processes combined with self-absorption. Good agreement between simulated and measured electroluminescence (EL) spectra is shown which demonstrates that the model is simple and more consistent with fundamental physical device characteristics particularly in the spectral range studied (1.4-2Â eV).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics Communications - Volume 281, Issue 12, 15 June 2008, Pages 3320-3323
Journal: Optics Communications - Volume 281, Issue 12, 15 June 2008, Pages 3320-3323
نویسندگان
Haddou El Ghazi, Anouar Jorio, Izeddine Zorkani,