کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1538473 | 996613 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The refractive nonlinearities of InAs/GaAs quantum dots above-bandgap energy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: The refractive nonlinearities of InAs/GaAs quantum dots above-bandgap energy The refractive nonlinearities of InAs/GaAs quantum dots above-bandgap energy](/preview/png/1538473.png)
چکیده انگلیسی
The third-order optical nonlinear refractive properties of InAs/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy have been measured using the reflection Z-scan technique at above-bandgap energy. The nonlinear refractive index and nonlinear absorption index of the InAs/GaAs quantum dots were determined for wavelengths from 740 to 777 nm. The measured results are compared with the nonlinear refractive response of several typical III–V group semiconductor materials. The corresponding mechanisms responsible for the large nonlinear response are discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics Communications - Volume 283, Issue 7, 1 April 2010, Pages 1510–1513
Journal: Optics Communications - Volume 283, Issue 7, 1 April 2010, Pages 1510–1513
نویسندگان
X. Huang, X.H. Zhang, Y.G. Zhu, T. Li, L.F. Han, X.J. Shang, H.Q. Ni, Z.C. Niu,