کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1539304 | 996634 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of selective ion-implanted p-GaN on the junction temperature of GaN-based light emitting diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A low-junction-temperature light emitting diode (LED) by selectively ion-implantation in part of the p-type GaN layer is demonstrated. The junction temperature extracted from a forward voltage method of an ion-implanted LED is significantly lower than that of a conventional LED. Furthermore, the linearity of the luminescence-current curve of the device is improved without altering electrical properties.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics Communications - Volume 282, Issue 5, 1 March 2009, Pages 835-838
Journal: Optics Communications - Volume 282, Issue 5, 1 March 2009, Pages 835-838
نویسندگان
Yun-Wei Cheng, Hung-Hsien Chen, Min-Yung Ke, Cheng-Pin Chen, Jian Jang Huang,