کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1539561 | 996639 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
2R-Regeneration in a monolithically integrated four-section SOA–EA chip
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Optical regeneration using a monolithically integrated chip formed by a cascade of semiconductor optical amplifiers and saturable absorbers is investigated. Static transfer functions, signal reshaping, extinction ratio enhancement, noise dynamics and device dependence on operation conditions are measured. Results show that by cascading two-pairs of SOA–EAs a steep static transfer function is achieved. Dynamical measurements show large improvements in extinction ratio as well as a large improvement in the receiver-sensitivity when used as a regenerator for NRZ signals at 10 Gb/s.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics Communications - Volume 282, Issue 1, 1 January 2009, Pages 117–121
Journal: Optics Communications - Volume 282, Issue 1, 1 January 2009, Pages 117–121
نویسندگان
T. Vivero, N. Calabretta, I. Tafur Monroy, G. Kassar, F. Öhman, K. Yvind, A.P. González-Marcos, J. Mørk,