کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1541007 | 996672 | 2007 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electromagnetically induced transparency and slow light with n-doped GaAs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The suitability of bound exciton system in semiconductors is studied for use in nonlinear optical schemes based on EIT, such as “slow” or “stored” photons. We match the desired properties of such a system exhibiting EIT with the known physical realities of a semiconductor system, and suggest, in particular, two suitable schemes using donor impurities in GaAs. In addition to generic properties, we also focus on the influence of many neighboring levels and continuum levels, and on the effect of strong hole-mixing.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics Communications - Volume 272, Issue 1, 1 April 2007, Pages 154–160
Journal: Optics Communications - Volume 272, Issue 1, 1 April 2007, Pages 154–160
نویسندگان
T. Wang, R. Rajapakse, S.F. Yelin,