کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1541130 996674 2007 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low threshold, actively Q-switched Nd3+:YVO4 self-Raman laser and frequency doubled 588 nm yellow laser
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Low threshold, actively Q-switched Nd3+:YVO4 self-Raman laser and frequency doubled 588 nm yellow laser
چکیده انگلیسی

We reported an actively Q-switched, intracavity Nd3+:YVO4 self-Raman laser at 1176 nm with low threshold and high efficiency. From the extracavity frequency doubling by use of LBO nonlinear crystal, over 3.5 mW, 588 nm yellow laser is achieved. The maximum Raman laser output at is 182 mW with 1.8 W incident pump power. The threshold is only 370 mW at a pulse repetition frequency of 5 kHz. The optical conversion efficiency from incident to the Raman laser is 10%, and 1.9% from Raman laser to the yellow.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics Communications - Volume 271, Issue 2, 15 March 2007, Pages 555–558
نویسندگان
, , , , ,