کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1542699 | 996728 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Quasi-three-level Nd:YAG laser under diode pumping directly into the emitting level
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Quasi-three-level Nd:YAG laser under diode pumping directly into the emitting level Quasi-three-level Nd:YAG laser under diode pumping directly into the emitting level](/preview/png/1542699.png)
چکیده انگلیسی
We present theoretical and experimental investigations on ground-state direct pumping at 869 nm into the emitting level 4F3/2 of end-pumped quasi-three-level Nd:YAG lasers operating at 946 nm. We have demonstrated, what we believe is for the first time, a Nd:YAG laser at 946 nm directly pumped by diodes and obtained 1.6 W of output power.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics Communications - Volume 261, Issue 1, 1 May 2006, Pages 109–113
Journal: Optics Communications - Volume 261, Issue 1, 1 May 2006, Pages 109–113
نویسندگان
S. Bjurshagen, R. Koch, F. Laurell,