کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1542699 996728 2006 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Quasi-three-level Nd:YAG laser under diode pumping directly into the emitting level
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Quasi-three-level Nd:YAG laser under diode pumping directly into the emitting level
چکیده انگلیسی

We present theoretical and experimental investigations on ground-state direct pumping at 869 nm into the emitting level 4F3/2 of end-pumped quasi-three-level Nd:YAG lasers operating at 946 nm. We have demonstrated, what we believe is for the first time, a Nd:YAG laser at 946 nm directly pumped by diodes and obtained 1.6 W of output power.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics Communications - Volume 261, Issue 1, 1 May 2006, Pages 109–113
نویسندگان
, , ,