کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1551322 | 998127 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The light stability of microcrystalline silicon thin films deposited by VHF–PECVD method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی های تجدید پذیر، توسعه پایدار و محیط زیست
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Microcrystalline silicon thin film is deposited under different conditions by plasma enhanced chemical vapor deposition. The light stability with different crystallinity and grain size is studied, and the growth mechanism is analyzed using the scaling behavior of roughening surface evolution. Degradation of photoconductivity mainly depends on crystallinity and grain size, but fundamentally, on the growth mechanism. Materials with high crystallinity and large grain size are more stable under light soaking. With the increasing of deposition pressure and input power, growth process transfers to zero diffusion limit growth mechanism, and films deposited present less grain size and poor light stability.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy - Volume 84, Issue 8, August 2010, Pages 1337–1341
Journal: Solar Energy - Volume 84, Issue 8, August 2010, Pages 1337–1341
نویسندگان
Yongsheng Chen, Jinhua Gu, Yanhua Xu, Jingxiao Lu, Shi-e Yang, Xiaoyong Gao,