کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1552421 | 998204 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth and characterization of CuInxGa1âxTe2 used for photovoltaic conversion
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی های تجدید پذیر، توسعه پایدار و محیط زیست
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Growth and characterization of CuInxGa1âxTe2 used for photovoltaic conversion Growth and characterization of CuInxGa1âxTe2 used for photovoltaic conversion](/preview/png/1552421.png)
چکیده انگلیسی
Bulk and thin films of CuIn0.75Ga0.25Te2 have been grown using respectively the sealed quartz ampoule and the flash evaporation techniques. X-ray diffraction results showed that the semiconductor has the chalcopyrite structure. The gaps of the materials were determined from optical measurements and found to be 0.99 and 1.14Â eV, respectively for bulk and annealed films. Photoluminescence data showed a broad emission localised at 1.05Â eV.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy - Volume 80, Issue 2, February 2006, Pages 196-200
Journal: Solar Energy - Volume 80, Issue 2, February 2006, Pages 196-200
نویسندگان
M. Benabdeslem, L. Bechiri, N. Benslim, L. Mahdjoubi, E.B. Hannech, M. Zouiti, G. Nouet,