کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1561418 | 1513940 | 2013 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Understanding dopant and defect effect on H2S sensing performances of graphene: A first-principles study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
- Different doped graphene monolayers possess tunable electronic and magnetic properties.
- The sensing performances can be improved by introducing appropriate dopant.
- The transport of graphene-based sensor is dependent on the applied bias voltage.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 69, March 2013, Pages 222-228
Journal: Computational Materials Science - Volume 69, March 2013, Pages 222-228
نویسندگان
Yong-Hui Zhang, Li-Feng Han, Yuan-Hua Xiao, Dian-Zeng Jia, Zhan-Hu Guo, Feng Li,