کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1562193 | 999581 | 2011 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Molecular Dynamics simulations of the formation and crystallization of amorphous Si
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Encouraged by the good performance of the MEAM-L potential for Si in Molecular Dynamics simulations of 500 eV Ar bombardment of Si (001) surface [M. Timonova, B-J. Lee, B.J. Thijsse, Nucl. Instr. Meth. B 225 (2007) 195], we continue to investigate the amorphous phase formed during this bombardment and compare it with the amorphous phase formed in the same way using the Stillinger-Weber potential [F.H. Stillinger, T.A. Weber, Phys. Rev. B 31 (1985) 5262] and with the amorphous phase produced by high-energy ion self-implantation experiments [K. Laaziri, et al, Phys. Rev. B 60 (1999) 13520]. ⺠By submitting the computational amorphous phases to high-temperature treatments we follow the kinetics of the crystallization process. ⺠The purpose of the study is to analyze the amorphous structure, to identify the atomistic details of relaxation and crystallization dynamics, and to validate the potentials.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 50, Issue 8, June 2011, Pages 2380-2390
Journal: Computational Materials Science - Volume 50, Issue 8, June 2011, Pages 2380-2390
نویسندگان
Maria Timonova, Barend J. Thijsse,