کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1563311 | 999607 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical characterization of CMOS transistors subject to externally applied mechanical stress
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Hole and electron mobilities in CMOS structures are significantly influenced by a mechanical strain state. In the present work a new experimental device has been designed, able to apply a uniaxial in-plane strain along different crystallographic orientations. A hole mobility enhancement of +10% and an electron mobility decrease of â5% have been demonstrated with the application of a 0.05% compressive ã1Â 1Â 0ã strain; a hole mobility enhancement of +2% and an electron mobility decrease of â3% have been induced into the material with the application of a 0.05% compressive ã1Â 0Â 0ã strain.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 43, Issue 4, October 2008, Pages 951-956
Journal: Computational Materials Science - Volume 43, Issue 4, October 2008, Pages 951-956
نویسندگان
D. Cordano, G. Carnevale, M. Bocciarelli,