کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1563508 | 999612 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modeling the electrical resistivity of Zn-Mn-S nanocrystalline semiconductors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper, a feed-forward multilayer perceptron artificial neural network model is used to simulate the electrical resistivity of nanocrystalline diluted magnetic semiconductors. Variations in the concentrations of Zn, Mn and temperature were used as the model inputs and the resulting electrical resistivity of the nanocrystalline semiconductors as the output of the model. Comparison between the model predictions and the experimental observations predicted a remarkable agreement between them.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 46, Issue 1, July 2009, Pages 124-127
Journal: Computational Materials Science - Volume 46, Issue 1, July 2009, Pages 124-127
نویسندگان
P. Jajarmi, A.R. Eivani,