کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1564521 | 1513959 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Simulation of Cs adsorption on clean and Sb-covered GaAs surfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Simulation of Cs adsorption on clean and Sb-covered GaAs surfaces Simulation of Cs adsorption on clean and Sb-covered GaAs surfaces](/preview/png/1564521.png)
چکیده انگلیسی
A full-potential linearized augmented-plane-wave (FLAPW) method is used for the investigation of the electronic structure of a series group III-V semiconductors. The electronic structure of low-index clean GaAs surfaces and with thin overlayers of cesium is studied. We analyze Cs(O) coadsorption on the GaAs(0Â 0Â 1) surface as well as the influence of Sb on its electron and adsorption properties.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 36, Issues 1â2, May 2006, Pages 199-202
Journal: Computational Materials Science - Volume 36, Issues 1â2, May 2006, Pages 199-202
نویسندگان
S.E. Kulkova, D.V. Khanin, A.V. Subashiev,