کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1589734 | 1002006 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization of interface of Al–Ni/a-Si for thin film transistor using high-resolution Rutherford backscattering spectrometry
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
High-resolution Rutherford backscattering spectrometry (HRBS) in combination with grazing angle argon sputtering was carried out to characterize the interface of aluminum–nickel (Al–Ni) alloy and amorphous-silicon films in a thin film transistor (TFT) for liquid crystal display (LCD). After thinning the top Al–Ni layer by a 1-keV Ar sputtering, the sensitivity of the interface oxygen was improved to be twice higher than that before sputtering. The results revealed that the oxygen at the interface relates to the contact characteristics.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Micron - Volume 40, Issue 1, January 2009, Pages 66–69
Journal: Micron - Volume 40, Issue 1, January 2009, Pages 66–69
نویسندگان
Chikara Ichihara, Nobuyuki Kawakami, Satoshi Yasuno, Aya Hino, Kazuhisa Fujikawa, Akira Kobayashi, Mototaka Ochi, Hiroshi Gotoh, Toshihiro Kugimiya,