کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1590942 | 1515477 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic structure of B-doped diamond: A first-principles study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Electronic structure of B-doped diamond is studied based on first-principles calculations with supercell models for substitutional and interstitial doping at 1.5-3.1Â at.% B concentrations. Substitutional doping induces holes around the valence-band maximum in a rigid-band fashion. The nearest neighbor C site to B shows a large energy shift of 1s core state, which may explain reasonably experimental features in recent photoemission and X-ray absorption spectra. Doping at interstitial Td site is found to be unstable compared with that at the substitutional site.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Science and Technology of Advanced Materials - Volume 7, Supplement 1, August 2006, Pages S67-S70
Journal: Science and Technology of Advanced Materials - Volume 7, Supplement 1, August 2006, Pages S67-S70
نویسندگان
T. Oguchi,