| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 1591264 | 1515570 | 2016 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
کلمات کلیدی
1.مقدمه
شکل 1 (رنگی به صورت آنلاین موجود است) (a) نمای بالا از یک سلول، و (b) نمای جلویی از ساختار بهینه سازی شده ی پنتاگرافن، کره های زرد و آبی به ترتیب نشان دهنده ی C1 و C2 هستند، (c) اولین منطقه ی بریلوئن و نقطه ی با تقارن بالا برای شبکه ی چهارضلعی دو بعدی Г=(0,0,0)2π/a، X=(0,1/2,0)2π/a، و M=(1/2,1/2,0)2π/a.
2. روش محاسباتی
جدول 1 گاف انرژی غیر مستقیم پنتاگرافن توسط توابع DFT مختلف.
3. نتایج و بحث
شکل 2 ساختار نواری پنتاگرافن محاسبه شده با استفاده از HTCH407 GGA (a) برای باندهای 20 (b) حدود انرژی فرمی.
جدول 2 گاف باند شبه مستقیم پنتاگرافن.
شکل 3 ساختار نواری پنتا گرافن با استفاده از تابع GGA-RPBE: تقریب های (a) DFT و (b) G0W0.
4. نتیجه گیری
• In this paper, we consider the optimum structure of the penta-graphene.
• Here, we compare the band gap of penta-graphene with various density functional theory (DFT) methods.
• Quasi-direct band gap of penta-graphene is obtained around 4.1–4.3 eV by G0W0 correction.
• One-shot GW (G0W0) correction for precise computations of band structure is applied.
In this paper, we consider the optimum coordinate of the penta-graphene. Penta-graphene is a new stable carbon allotrope which is stronger than graphene. Here, we compare the band gap of penta-graphene with various density functional theory (DFT) methods. We plot the band structure of penta-graphene which calculated with the generalized gradient approximation functional HTCH407, about Fermi energy. Then, one-shot GW (G0W0) correction for precise computations of band structure is applied. Quasi-direct band gap of penta-graphene is obtained around 4.1–4.3 eV by G0W0 correction. Penta-graphene is an insulator and can be expected to have broad applications in future, especially in nanoelectronics and nanomechanics.
Journal: Solid State Communications - Volume 229, March 2016, Pages 1–4