آشنایی با موضوع

در فیزیک حالت جامد نوار ممنوعه گاف‌باند، یا گاف انرژی (به انگلیسی: Band gap) به منطقه‌ای از طیف انرژی در یک جامد گفته می‌شود که در آن منطقه از طیف هیچ حالت الکترونیکی نمی‌تواند وجود داشته باشد. در نمودار ساختار باند الکترونیکی جامدها (نظریه نوارها)، گاف‌باند به طور کلی به تفاوت انرژی (با یکای الکترون ولت) در جایی بین «بالای نوار ظرفیت» و «پایین نوار رسانش»؛ در نارساناها و نیمه رساناها، اشاره دارد. (این نوار یا شکاف در رساناها وجود ندارد). به عبارتی دیگر: نوار ممنوعه اختلاف انرژی میان حد پایین نوار رسانش و حد بالای نوار ظرفیت است. این انرژی در حقیقت انرژی لازم برای آزاد کردن یک الکترون است که در خارجی‌ترین لایهٔ الکترونی قرار دارد. واژه‌های هم‌ارز نوار ممنوعه، گاف نواری، شکاف انرژی، شکاف باند و نوار بدون انرژی است. در نیمه‌رساناها و نارساناها نوار بدون انرژی شامل سطوح انرژی‌ای است که الکترون‌ها امکان برانگیزش به آن‌ها را ندارند. این نوار در نیمه‌رساناها در مقایسه با نارساناها بسیار کوچک‌تر است. این امر باعث می‌شود که الکترونهای لایه ظرفیت در نیمه‌رساناها را بتوان به سادگی با اعمال میدان‌های الکتریکی، حرارت یا تابش نور به نوار رسانش برد. این خاصیت باعث می‌شود که کاربردهای متعددی برای نیم رساناها قابل پیش بینی باشد. نوار بدون انرژی در سلولهای خورشیدی مشخص می‌کند که چه مقدار از نور خورشید توسط سلول جذب خواهد شد. تبدیل کننده لومینسانس خورشیدی از یک ماده لومینسانس برای تغییر انرژی (و در نتیجه فرکانس) فوتون‌ها و نزدیک کردن آنها به فرکانس جذب سلول استفاده می‌کند. درفوتونیک نوار بدون انرژی یا باند توقف مربوط به بازه‌ای از فرکانس‌های فوتونی است که فوتونهای دارای این فرکانس نمی‌توانند از ماده عبور کنند (با صرف نظر از اثر تونل). این خاصیت در بلورهای فوتونیکی نیز آنها را آبستن کاربردهای بسیار زیادی، از جمله ساخت صفحات بازتابان نور برای برخی طول موج‌های خاص، موجبرهای نانومتری و. . . کرده است. در فونونیک نیز نوار بدون انرژی مفهوم مشابهی برای کریستالهای فونونی دارد.
در این صفحه تعداد 1142 مقاله تخصصی درباره نوار ممنوعه که در نشریه های معتبر علمی و پایگاه ساینس دایرکت (Science Direct) منتشر شده، نمایش داده شده است. برخی از این مقالات، پیش تر به زبان فارسی ترجمه شده اند که با مراجعه به هر یک از آنها، می توانید متن کامل مقاله انگلیسی همراه با ترجمه فارسی آن را دریافت فرمایید.
در صورتی که مقاله مورد نظر شما هنوز به فارسی ترجمه نشده باشد، مترجمان با تجربه ما آمادگی دارند آن را در اسرع وقت برای شما ترجمه نمایند.
مقالات ISI ترجمه شده نوار ممنوعه
مقالات ISI نوار ممنوعه (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت
Keywords: نوار ممنوعه; Dielectric elastomer composite; Tunability; Phononic crystal; Topology optimization; Band gap; Finite deformation; Wave propagation;
Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت
Keywords: نوار ممنوعه; MOS; metal oxide semiconductor; EDL; electron depletion layer; HAL; hole accumulation layer; BET; Brunauer-Emmett-Teller; FESEM; field emission scanning electron microscopy; TEM; transmission electron microscopy; HETEM; high-resolution transmission electr