کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1595296 | 1515697 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Abnormal temperature behavior of photoluminescence in CdSe/ZnSe self-assembled quantum dots
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We report on the temperature dependence of photoluminescence (PL) of CdSe/ZnSe self-assembled quantum dots (QDs). In the temperature range of 19-120 K, although the energy gap of CdSe shrinks by 25 meV, the PL of CdSe QDs does not show any line shift or shape change. According to the equilibrium theories of heteroepitaxial growth, a model involving the presence of interface disorders is suggested to be responsible for this invariant PL. In the temperature range of 120-300 K, the PL peak of CdSe QDs initially blue-shifts and then red-shifts with increasing temperature arising from the thermally activated detrapping of carriers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 147, Issues 11â12, September 2008, Pages 429-432
Journal: Solid State Communications - Volume 147, Issues 11â12, September 2008, Pages 429-432
نویسندگان
Jinju Zheng, Zhuhong Zheng, Weiwei Gong, Xuebing Hu, Wei Gao,