کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1595775 | 1515711 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electron irradiation induced defects in undoped and Te doped gallium phosphide
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The aim of the present work is to investigate defects that are introduced to Gallium Phosphide (GaP) by electron irradiation as well as their dependence on the background doping. Undoped and Te doped n-type GaP have been irradiated with 1.5 MeV electrons at fluences of 5Ã1016Â e/cm2. Deep level transient spectroscopy assessment revealed the dependence of the trap characteristics on background doping.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 145, Issues 7â8, February 2008, Pages 332-336
Journal: Solid State Communications - Volume 145, Issues 7â8, February 2008, Pages 332-336
نویسندگان
G.E. Zardas, Ch.I. Symeonides, P.C. Euthymiou, G.J. Papaioannou, P.H. Yannakopoulos, M. Vesely,