کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1631007 | 1006615 | 2015 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ultra Low Power Circuit Design
ترجمه فارسی عنوان
طراحی بسیار کم مدار قدرت
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
چکیده انگلیسی
In many new high performance designs, the leakage component of power consumption is comparable to the switching component. Reports indicate that 40% or even higher percentage of the total power consumption is due to the leakage of transistors. This percentage will increase at nano-regime with technology scaling unless effective techniques are introduced to bring leakage current under control. This paper focuses on various techniques to reduce leakage current at 45 nm CMOS technology using cadence tool.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Today: Proceedings - Volume 2, Issue 9, Part A, 2015, Pages 4468-4473
Journal: Materials Today: Proceedings - Volume 2, Issue 9, Part A, 2015, Pages 4468-4473