کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1631018 | 1006615 | 2015 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication and Characterization of Solution Processed n-ZnO/p-Si Nano Heterojunction Diode
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Low cost nano hetero p-n junction (n-ZnO/p-Si) diode was fabricated between solution processed n-type ZnO nanoparticles and p-type Si substrate. Device was fabricated using dip coating technique and characterized by current-voltage characteristics (I-V) (under dark & UV illumination) and capacitance-voltage characteristics (C-V) under ambient condition. The junction shows good diode characteristics with a rectification ratio of 191 & 478 at 4 V and cut in voltage of 2 V and 0.8 V under dark and illumination respectively. Fabricated heterojunction diode will be used in switching, rectifier, clipper, clamper, heterojunction transistors (BJTs), field effect transistor (JFETs & MOSFETs), electronic circuitry etc.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Today: Proceedings - Volume 2, Issue 9, Part A, 2015, Pages 4544-4549
Journal: Materials Today: Proceedings - Volume 2, Issue 9, Part A, 2015, Pages 4544-4549