کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1641670 | 1517226 | 2016 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Co-sputtering deposition and optical-electrical characteristic of Cu2CdSnS4 thin films for use in solar cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Cu2CdSnS4 is an important candidate material for thin-film solar cell absorber layers. In this work, a low-cost Cu2CdSnS4 thin film with a cernyite structure has been successfully fabricated by sulfurization of the precursor film obtained by co-sputtering three different targets: Cu, Sn and CdS. The resulting sulfurized Cu2CdSnS4 thin film shows large densely packed grains and has a band gap value of 1.4Â eV and a hole mobility of 21.35Â cm2Â vâ1Â sâ1. Thus, a Cu2CdSnS4 thin-film solar cell with a proof of concept power conversion efficiency of 1.14% was fabricated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 162, 1 January 2016, Pages 97-100
Journal: Materials Letters - Volume 162, 1 January 2016, Pages 97-100
نویسندگان
Huafei Guo, Yan Li, Xiang Fang, Kezhi Zhang, Jianning Ding, Ningyi Yuan,