کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1646333 | 1517302 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Realization of 479 nm (2.59 eV) emission CdZnO nanorods and the application on solar cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
CdZnO nanorods were grown by chemical vapor deposition. The structural and compositional properties of CdZnO nanorods were characterized. Photoluminescence studies show that CdZnO nanorods with emissions from 2.98 eV (415 nm) to 2.59 eV (479 nm) were realized. Temperature dependent photoluminescence confirmed that the origin of CdZnO's near band edge emissions. The n-CdZnO/p-GaN heterojunction diode functions as a solar cell and achieved a prominent open circuit voltage of 1.32 V at 100 mW/cm2, indicating that CdZnO nanomaterials are promising in visible wavelength optoelectronics application.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 85, 15 October 2012, Pages 149–152
Journal: Materials Letters - Volume 85, 15 October 2012, Pages 149–152
نویسندگان
Sheng Chu, Guoping Wang,