کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1648282 | 1007553 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Alignment and optical polarization of InGaAs quantum wires on GaAs high index surfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Highly ordered three-dimensional periodic arrays of In0.40Ga0.60As quantum wires (QWRs) on GaAs (311)A and GaAs (331)A have been achieved by molecular beam epitaxy and revealed by high-resolution X-ray diffraction. Polarization dependent photoluminescence measurements demonstrated high optical anisotropy of 40% in (331)A QWRs and 16% in (311)A QWRs. Such a difference in polarization value could be caused by the differences in geometry, ordering, and high piezoelectric field between (331)A and (311)A samples.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 65, Issue 9, 15 May 2011, Pages 1427–1430
Journal: Materials Letters - Volume 65, Issue 9, 15 May 2011, Pages 1427–1430
نویسندگان
V.G. Dorogan, Zh.M. Wang, Vas.P. Kunets, M. Schmidbauer, Y.Z. Xie, M.D. Teodoro, P.M. Lytvyn, Yu.I. Mazur, G.J. Salamo,