کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1648532 | 1007559 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Hybrid plasma bonding of germanium and glass wafers at low temperature
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Hybrid plasma bonding (i.e., sequentially plasma activation followed by anodic bonding) has been demonstrated for germanium and glass wafers for the first time. Void-free interface with high bonding strength has been observed at 200 °C. This improved quality is attributed to reduced surface roughness and increased hydrophilicity of sequentially activated germanium and glass. Three layers caused by reactions of OH molecules between the highly reactive surfaces after plasma activation and opposite migration of cations and anions are observed across the interface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 64, Issue 13, 15 July 2010, Pages 1532–1535
Journal: Materials Letters - Volume 64, Issue 13, 15 July 2010, Pages 1532–1535
نویسندگان
M.M.R. Howlader, M.G. Kibria, F. Zhang,