کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1651493 | 1517341 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of p-type ZnO thin films by using an atomic layer epitaxy technique and NH3 as a doping source
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Nitrogen-doped, p-type ZnO thin films have been grown successfully on sapphire (0001) substrates by atomic layer epitaxy (ALE) using Zn(C2H5)2 [Diethylzinc, DEZn], H2O and NH3 as a zinc precursor, an oxidant and a doping source gas, respectively. The lowest electrical resistivity of the p-type ZnO films grown by ALE was 210 Ω cm with a hole concentration of 3.41 × 1016 cm− 3. Low temperature-photoluminescence analysis results support that the nitrogen ZnO after annealing is a p-type semiconductor. Also a model for change from n-type ZnO to p-type ZnO by annealing is proposed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 61, Issues 11–12, May 2007, Pages 2495–2498
Journal: Materials Letters - Volume 61, Issues 11–12, May 2007, Pages 2495–2498
نویسندگان
Chongmu Lee, Su Young Park, Jongmin Lim, Hyoun Woo Kim,