کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1652097 | 1007636 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Properties of zirconia thin films prepared by reactive magnetron sputtering
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The search for alternative dielectric materials with high dielectric constant, thermodynamic stable on silicon substrate and low direct tunneling current leads to oxide based materials like zirconia. Zirconia thin films were prepared by reactive magnetron sputtering. The capacitance voltage, ac and dc electrical characteristics were investigated and the values like fixed oxide charges were calculated and compared among the samples with and without annealing. Films annealed at 700 °C showed a dielectric constant ∼ 26 with interface trap densities of 1.629 × 1012 eV− 1 cm− 2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 61, Issue 2, January 2007, Pages 502–505
Journal: Materials Letters - Volume 61, Issue 2, January 2007, Pages 502–505
نویسندگان
K.P.S.S. Hembram, G. Mohan Rao,