کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1652696 | 1007646 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nano-aluminum-induced crystallization of amorphous silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Nano-aluminum-induced crystallization of amorphous silicon Nano-aluminum-induced crystallization of amorphous silicon](/preview/png/1652696.png)
چکیده انگلیسی
This paper reports the successful fabrication of smooth, polycrystalline silicon films with very large crystallites produced by nanometer thick aluminum-induced crystallization (AIC) of plasma-enhanced chemical vapor deposited (PECVD) amorphous silicon (a-Si:H) and the effect of annealing temperature ramp up time on grain size. The study shows that, compared to traditional AIC, nano-AIC produces much smoother polycrystalline silicon films with very large crystallites. In addition, unlike traditional AIC, the grain sizes produced by nano-AlC increase considerably with annealing temperature ramp-up time.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 60, Issue 11, May 2006, Pages 1379–1382
Journal: Materials Letters - Volume 60, Issue 11, May 2006, Pages 1379–1382
نویسندگان
Min Zou, Li Cai, Hengyu Wang, William Brown,