کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1653043 | 1007654 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study on the Hall-effect and photoluminescence of N-doped p-type ZnO thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
N-doped, p-type ZnO thin films have been grown by plasma-assisted metal-organic chemical vapor deposition method. The results under optimized growth conditions included a resistivity of 1.72 Ω cm, a Hall mobility of 1.59 cm2/V s, and a hole concentration of 2.29 × 1018 cm− 3, and were consistently reproducible. A N-related free-to-neutral-acceptor emission and an associated phonon replica were evident in room temperature photoluminescence spectra, from which the N acceptor energy level in ZnO was estimated to be 180 meV above the valence band maximum.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 61, Issue 1, January 2007, Pages 41–44
Journal: Materials Letters - Volume 61, Issue 1, January 2007, Pages 41–44
نویسندگان
Y.J. Zeng, Z.Z. Ye, W.Z. Xu, B. Liu, Y. Che, L.P. Zhu, B.H. Zhao,