کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1653784 | 1007671 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Synthesis of vertically electric-field-aligned In2O3 nanowires
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Electric-field-aligned vertical growth of the In2O3 nanowires is realized on InAs substrates at low temperatures in a plasma environment. The experimental results show that the In2O3 nanowires are single crystal and have small diameters about 10 nm. It is revealed that the growth follows a catalyst-assisted growth mechanism. The dipoles in the In2O3 nanowires, induced by the electric field of plasma sheath, are responsible for the alignment of the In2O3 nanowires.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 60, Issue 12, June 2006, Pages 1492–1495
Journal: Materials Letters - Volume 60, Issue 12, June 2006, Pages 1492–1495
نویسندگان
S.Q. Li, Y.X. Liang, T.L. Guo, Z.X. Lin, T.H. Wang,