کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1653784 1007671 2006 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Synthesis of vertically electric-field-aligned In2O3 nanowires
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Synthesis of vertically electric-field-aligned In2O3 nanowires
چکیده انگلیسی

Electric-field-aligned vertical growth of the In2O3 nanowires is realized on InAs substrates at low temperatures in a plasma environment. The experimental results show that the In2O3 nanowires are single crystal and have small diameters about 10 nm. It is revealed that the growth follows a catalyst-assisted growth mechanism. The dipoles in the In2O3 nanowires, induced by the electric field of plasma sheath, are responsible for the alignment of the In2O3 nanowires.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 60, Issue 12, June 2006, Pages 1492–1495
نویسندگان
, , , , ,