کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1654204 | 1007684 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High quality β-FeSi2 epitaxial film grown on hydrogen terminated Si (111) by molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A high quality β-FeSi2 epitaxial film with the thickness of 180 nm has been successfully grown for the first time on hydrogen terminated Si (111) at 580 °C by using solid source molecular beam epitaxy (SS-MBE). The β-FeSi2 film grown with stoichiometric Fe / Si source flux ratio 1:2 has a superior morphology and crystallinity comparing to the published results of the films grown by other methods.X-ray diffraction (XRD) spectra confirmed that the obtained β-FeSi2 film was single crystal. Scanning electron microscope (SEM) images showed a good morphology with large flat surface areas of the obtained β-FeSi2 film.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 59, Issue 18, August 2005, Pages 2370–2373
Journal: Materials Letters - Volume 59, Issue 18, August 2005, Pages 2370–2373
نویسندگان
S.Y. Ji, G.M. Lalev, J.F. Wang, M. Uchikoshi, M. Isshiki,