کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1654774 | 1007704 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrochemical growth of CdZnTe thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Electrochemical growth of CdZnTe thin films Electrochemical growth of CdZnTe thin films](/preview/png/1654774.png)
چکیده انگلیسی
Thin films of Cd1−xZnxTe (0.2–1 μm thick) over a wide compositional range were deposited on CVD grown SnO2 by a single step electrodeposition technique. The electrochemical bath used in this work consisted of aqueous solutions of Te reacted with nitric acid, CdCl2 and ZnCl2, to which Acetonitrile (CH3CN) was added to act as a complexing agent. Optical absorption studies, X-ray diffraction (XRD) patterns and scanning electron micrographs (SEM) show that the grain size of the films can be controlled by means of the deposition potential. As the growth potential is varied from − 550 to − 850 mV (w.r.t. a saturated calomel electrode), the grain size decreases from about one micron to the nanometer range.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 59, Issue 28, December 2005, Pages 3666–3671
Journal: Materials Letters - Volume 59, Issue 28, December 2005, Pages 3666–3671
نویسندگان
Anu Bansal, P. Rajaram,